電路保護：淺談TLP量測TVS二極體 | 全台藥局網

2018年8月28日 — ... 就和大家從最基本的理論講起逐步講解ESD保護的原理及注意點，你會發現前面講的PN結/二極體、三極體、MOS管、snap-back全都用上了。 Read More

這BJT元件隨著間距S的縮小會具有更高的. 增益及更佳的BJT特性。當ESD電壓跨在VDD與VSS之間時. ，這寄生的BJT也容易因驟迴崩潰(snapback breakdown)而. Read More

摘要–在高壓互補式金氧半製程技術中，金氧半場效電晶體(MOSFET)、矽控整流 ... 電放電防護元件在驟回崩潰(Snapback Breakdown)狀態下的持有電壓(Holding ... 傳輸線脈衝產生的原理，提供單一、且不斷升高能量的脈衝，其所產生的脈衝寬. Read More

2020年3月31日 — 对于通用IO端口，一般选MOS管作为ESD防护元件，采用其击穿的snapback特性，… ... 以NMOS为例，简述其snapback特性的原理。PN结的 ... Read More

Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMOS的寄生三极管等效电路开启 ... Read More

2013年10月8日 — 在ESD瞬間放電能量持續地進入保護裝置時會使得保護裝置的特性曲線進入snapback區域。此snapback區域在(Vh，Ih)有一個holding點，ESD瞬間 ... Read More

... 有专门设计ESD的团队，今天我就和大家从最基本的理论讲起逐步讲解ESD保护的原理及注意点，你会发现前面讲的PN结/二极管、三极管、MOS管、snap-back ... Read More

表3.1.1 為N 通道增強型MOSFET，各種狀態下的電流電壓公式。 Kn稱為導電 ... 回奪崩潰(Snapback Breakdown)，此崩潰由MOSEFET 中的二次效應所產生；若. Read More